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| Óxido del indio (III) | |
|---|---|
| Imagen: Indio (III) oxide.jpg | |
| Otros nombres | trióxido del indio |
| Identificadores | |
| Número del CAS | [1312-43-2] |
| Características | |
| Fórmula molecular | En2O3 |
| Masa molar | 277.64 g/mol |
| Aspecto | pedazos inodoros verdes amarillentos |
| Densidad | 7.179 g/cm3, sólido |
| Punto de fusión |
1910°C |
| Solubilidad en agua | insoluble |
| Peligros | |
| Clasificación del EU | no mencionado |
| A menos que para donde observados de otra manera, los datos se den materiales en su estado estándar (en 25 el °C, kPa 100) Negación y referencias de Infobox |
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Óxido del indio (III) (En2O3) es a compuesto del producto químico, amphoteric óxido de indio. Forma bixbyite- tipo cristales cúbicos.
El óxido del indio se utiliza en algunos tipos de baterías, película fina infrarrojo reflectores transparentes para la luz visible (espejos calientes), algunos capas ópticas, y algunos capas antiestáticas.
Conjuntamente con dióxido de la lata, formas del óxido del indio óxido de la lata del indio (también llamado óxido dopado lata del indio o ITO), un material usado para las capas conductoras transparentes.
En semiconductores, el óxido del indio se puede utilizar como n-tipo semiconductor utilizado como a elemento resistente en circuitos integrados. [1]
Las películas finas del óxido del indio se pueden preparar cerca farfulla de la blanco del indio adentro argón/oxígeno atmósfera. Pueden ser utilizados como barreras de difusión ("metales de la barrera“) adentro semiconductores, eg. para inhibir difusión entre aluminio y silicio. [2]
Monocristalino nanowires fueron sintetizados del óxido del indio por la ablación del laser, permitiendo control exacto del diámetro abajo a 10 nanómetro. Transistores del efecto de campo fueron fabricados de ésos. [3] Los nanowires del óxido del indio pueden servir como sensible y específico redox proteína sensores. [4] Solenoide-gel el método es otra manera de preparar los nanowires.
El óxido del indio puede servir como a material del semiconductor, formando heterojunctions con p-INP, n-GaAs, nSilicio, y otros materiales. Una capa del óxido del indio en un substrato del silicio se puede depositar de trichloride del indio solución, un método útil para la fabricación de células solares. [5]
En histología, el óxido del indio se utiliza como parte de alguno mancha formulaciones.
Películas finas de cromo-dopado óxido del indio (en2 xCrxO3) fue divulgado recientemente para ser a semiconductor magnético exhibir temperatura alta ferromagnetism, solofase estructura cristalina, y semiconductor comportamiento con la alta concentración de portadores de la carga. Tiene usos posibles adentro spintronics como material para los inyectores de la vuelta. [6] [7]
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